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中南大学教授汪炼成:基于宽禁带AlN的紫外光功能结构和器件

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-01 来源:中国半导体照明网浏览次数:301
   2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。
 
  10月24日下午,“固态紫外器件技术”分会如期举行,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
 
  美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜,华中科技大学教授陈长清,北京大学副教授许福军,三重大学助理教授永松谦太郎,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,厦门大学教授黄凯,中南大学教授汪炼成,南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告,并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
汪炼成
 
  紫外光在人类生活中扮演着重要的角色,包括激光设备、光刻机和灭菌机等,其中聚光透镜是许多紫外设备的重要组成部分之一。传统的光学紫外透镜主要依靠光折射来实现波前整形,即紫外光通过光学介质传输,达到所需的相位补偿,缺点是制造成本较高、体积较大。这不利于紫外纳米光子学往微型化和高密度融合趋势的发展。等离激元平面结构可以实现对光的振幅、偏振和相位控制,实现特殊光学功能,如超透镜、全息图、波过滤器、起偏器等。然而,基于金属的等离子体基元在紫外光区由于高焦耳损耗而使其效率较低。高折射率介电材料,如硅(Si)、氧化钛(TiO2)和氮化镓(GaN)已有报道,分别用于近红外和可见光谱区域。但即使对于宽带隙TiO2、GaN,在紫外光区特别是深紫外光区吸收损失仍然较大,导致效率低。目前尚无关于介质材料的紫外超透镜报道。
 
  中南大学教授汪炼成分享了基于宽禁带AlN的紫外光功能结构和器件的研究成果,包括基于氮化铝(AlN)超构表面的紫外光功能结构:紫外透镜,紫外光分束器,和紫外反射镜。基于氮化铝(AlN)纳米柱阵列结构的紫外超透镜,实现对UVC (244nm)、UVB (308nm)和UVA (375nm)波长的聚焦功能,相应的聚焦效率分别为40.1%、41.9%和29.1%。氮化铝(AlN)纳米柱的高度为600nm,长度为60-80nm,宽度为20-40nm,周期为100nm[1]。基于在轴,离轴面内,离轴面外的聚焦设计,可潜在实现任意图形,不同波长的紫外光聚焦图案,即紫外光分束器。设计了紫外基于氮化铝(AlN)纳米柱阵列结构的紫外超构反射镜。
 
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
 
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关键词: 固态紫外 SSL LED
 
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