近年来，随着各种半导体发光材料和器件的不断发展，新型显示技术与照明技术的结合更加紧密，为未来显示与照明技术的交叉和多元化应用奠定了基础。从器件角度看，新型显示与照明技术所对应的发光器件包括：Micro-LED、有机发光二极管（OLEDs）、量子点发光二极管（QLEDs）、半导体激光器、钙钛矿发光二极管（PerLEDs），以及其他新型半导体发光器件。其中，Micro-LED近年来发展尤为迅速，未来发展可期。
广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌
2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。会上，来自广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Mini和Micro LED 焊接技术》主题报告。
他介绍说，Mini 和Micro LED由于其潜在的显示技术的下一个革命而引起了广泛的兴趣。对于Mini LED，由于其相对较大的芯片尺寸，通过商业上可获得的挑选和放置技术，Mini LED的传输是可行的。Mini LED通常是在芯片的一个表面上具有阴极和阳极的倒装芯片LED。对于L*W100100*200微米的小芯片，阴极和阳极间隙为<100微米。这种小间隙对键合屈服具有挑战性。为此，介绍了一种用于小型LED的高可靠性、高可靠性的SAC钎料互连方法。
对于Micro LED，由于其芯片尺寸小，目前没有商业上可用的传输技术。各种各样的大规模平行拾取和放置使用电磁、静电，“粘性磁带”的方法来拾取Micro LED已经被提出。大多数Micro LED的转移，而不是电互连的形成。我们提出一种更简单和更可行的技术，首先使用红外激光辅助键合和紫外激光剥离来选择性地将微LED阵列从外延衬底直接键合和传输到有源矩阵背板，而不需要中间衬底。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
