本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“半导体装备与智能制造”分会作为SSLCHINA论坛重要分会之一，由北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备（上海）有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司支持协办。会上，来自江苏大学左然教授分享了《AlN MOCVD的气相和表面反应机理的量子化学计算》研究报告。
他介绍到，AlN是最重要的III-V族半导体之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最宽的带隙、与GaN较低的晶格失配和热失配，以及最强的金属-氮键。它特别适用于制备紫外/深紫外光电子器件，以及GaN基功率半导体异质结的缓冲层和过渡层。
在AlN MOCVD生长中，由于Al与N之间的强配位键，气相寄生反应强烈，表面迁移率低，导致生长速率低，生长效率低，薄膜质量差。目前，AlN外延生长已成为制约AlN相关器件应用的瓶颈。深入了解AlN MOCVD的气相和表面反应机理，对于改善生长工艺和薄膜质量具有重要意义。
所在课题组利用量子化学的密度泛函理论（DFT），对AlN MOCVD的气相和表面反应进行的理论研究。在气相反应中，已知三条反应路径：TMAl直接热解、TMAl氢解、以及TMAl与NH3的氨基物的形成和聚合。并寻找每条反应路径所依赖的条件，包括反应器几何结构和工艺参数，确定表面反应的主要前体，以及纳米粒子形成的条件。
对于AlN的表面反应，研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和扩散，包括仅含有A- C键的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比较在不同表面条件（理想或非理想）下的各种吸附结构、吸附能和扩散势垒。并探讨二维台阶生长的最佳条件及其与表面形貌、表面覆盖率和气相条件之间的关系。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
