2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日下午，“半导体装备与智能制造”分会成功举行。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“半导体装备与智能制造”分会作为SSLCHINA论坛重要分会之一，由北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备（上海）有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司支持协办。会上，来自南京大学的陈琳介绍了《6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟》主题报告。
他介绍说，为提高宽带隙半导体光电器件的性能，高质量、大面积和低成本GaN衬底的需求日益迫切。氢化物气相外延是制备大尺寸高质量GaN衬底的最广泛应用的方法。
采用CFD方法对6英寸HVPE系统的生长腔进行了三维仿真模拟和优化，对腔体中的关键几何参数、反应压力以及衬底旋转等的影响进行了数值分析。模拟研究表明，在改变衬底位置时，V/III比分布的改变可以使得生长速率的均匀性得到优化；衬底转速的调整可以使气体流线分布更整齐，通过消除涡旋从而提高生长质量。
此外，通过对加入额外HCl的分析，获得了抑制寄生沉积和提高外延膜质量的优化参数。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
