第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。
会议现场
2018年10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。其中，24日上午由中国电子科技集团第十三研究所、苏州能讯高能半导体有限公司支持协办的“第三代半导体微波射频技术分会”在河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持下成功召开。
“第三代半导体微波射频技术分会”作为论坛重要技术分会之一，会上，来自日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》研究报告。
敖金平博士1989年毕业于武汉大学物理系，获学士学位。1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位。2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。在国际学术期刊和国际会议上发表论文200余篇，拥有多项发明专利。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
报告中介绍到，无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天线整流电路中实现高转换效率的器件。这种肖特基势垒二极管需要具备低导通电阻、低结电容和低开启电压。
介绍了用于微波无线电能传输的氮化镓肖特基势垒二极管。利用反应性磁控溅射合成的TiN电极的氮化镓肖特基势垒二极管，与Ni电极相比具有更低的开启电压。反之，利用反应性磁控溅射合成的NiN电极的氮化镓肖特基势垒二极管，与Ni电极相比具有更低的反向漏电流。不同的器件可望在不同接收功率的系统中得到应用。总之，氮化镓射频肖特基势垒二极管可望提高微波无线电能传输中的天线整流电路的 RF/DC转换效率，应用前景可观。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
