第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。
2018年10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。其中，24日上午由中国电子科技集团第十三研究所、苏州能讯高能半导体有限公司支持协办的“第三代半导体微波射频技术分会”在河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持下成功召开。
“第三代半导体微波射频技术分会”作为论坛重要技术分会之一，河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同担任本次分会主席。日本德岛大学教授，西安电子科技大学教授敖金平、荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家陶国桥等专家担任分会委员为分会提供坚实的支持。
会上，来自台湾长庚大学邱显钦教授在《适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案》报告中介绍到，4G的普及正在推动新的5G移动通信网络的国际标准的推出。中国已经开始规划第五代(5G)无线通信频段，频率将集中在5G通信第一阶段的亚6GHz频段。5G技术需要连接数十亿台嵌入式设备的微单元，许多公司参加了此次活动，希望在5G硬件和软件开发方面领先一步。
但是5G基站系统的开发还处于起步阶段，因为我们在高功率基站行业中没有关键的固态技术。此外，5G通信系统对功放线性度、输出功率密度、功率增加效率等方面还存在一些严重的要求。在这次报告中，提供6英寸和8英寸GaN on Si RF HEMT技术解决方案，用于亚6GHz和毫米波波段。此外，采用高均匀性的p-GaN栅HEMT技术可以高效地实现微单元基站的DC/DC变换器。
