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青铜剑科技副总裁兼总工程师高跃:车用IGBT及SiC的门极驱动技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-02 来源:中国半导体照明网浏览次数:343
  2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙华区人民政府主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。
 
 10月24日,“汽车照明与汽车电子”产业峰会如期召开,本届峰会由广东晶科电子股份有限公司协办。广东晶科电子股份有限公司董事长肖国伟、第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山、精进电动科技股份有限公司创始人蔡蔚共同主持了本届分会。会上,来自高校科研机构、检测不同环节的专家齐聚,围绕着LED汽车照明光源封装,车灯模组以及整车应用全产业链,从各自专业的角度展开了深入的交流。
高跃
 
  门极驱动是电力电子变换装置中信号控制能量的桥梁和纽带,是集弱电和强电功能的重要部件。其功能是驱动、监测和保护作为功率开关的IGBT、SiC-MOSFET器件。青铜剑科技副总裁兼总工程师高跃做了题为“车用IGBT及SiC的门极驱动技术”的报告。结合汽车驱动应用的不同要求以及研究实践,介绍了车用门极驱动技术、SiC-MOS门极驱动技术等的现状,并呈现了IGBT与SiC驱动技术目前的进展。其中,SiC-MOS门极驱动技术中SIC功率器件具有低损耗、高频率、高温度等优势,SiC功率器件应用中具有更高的开关频率、减少体积、提高功率密度;SiC的电阻损耗特性、降低轻载时的损耗,减少体积、降低冷却要求等优势。SiC功率器件驱动设计时有诸多设计要点,比如器件上低阈值、低负压耐受、低短路耐受易误导通门极击穿驱动设计。整机上,高dv/dt、高di/dt,容易影响瞬时震荡、电磁干扰、电压过冲、绝缘寿命等。
高跃报告截图
 
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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