Victor VELIADIS教授：碳化硅功率器件-制造与商业化之路

　　2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以“创芯聚智 共享生态”为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。

 

　　本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

开幕式现场
 

　　作为半导体照明领域年度国际盛会，中国国际半导体照明（SSLCHINA）系列论坛到今年已是第十五届，其已发展成为半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。更是行业发展的风向标，引领全球半导体照明产业发展新趋势。国际第三代半导体论坛（IFWS）则是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。在延续往届成功经验基础之上，两大盛会交相辉映，将热点前沿一网打尽，合力为业界献上一场年度饕餮大餐。

 

　　大会由全国政协教科卫体委员会副主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任、国际半导体照明联盟（ISA）主席曹健林担任大会中方主席，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、2014年诺贝尔物理学奖得主中村修二与美国国家工程院院士、加州大学教授、Transphorm联合创始人Umesh Mishra共同担任大会外方主席。半导体照明联合创新国家重点实验室主任、国家半导体照明工程研发与产业联盟研发执行主席李晋闽主持了开幕环节。

 

　　碳化硅被半导体界公认为“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，由于材料质量的制约，其制造与商业化问题一直备受关注。

PowerAmerica执行副总裁兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授 Victor VELIADIS分享主题报告
 

　　会上，PowerAmerica执行副总裁兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor VELIADIS做了题为“碳化硅功率器件：制造与商业化之路”的主题报告，带来最新的技术进展和前景趋势分析。他表示，在日益电气化技术驱动的世界中，电力电子是整个制造业经济的核心。硅（Si）功率器件以其低成本批量生产能力、优异的原始材料质量、易加工和高可靠性而在电力电子器件中占据主导地位。尽管Si功率器件继续取得重大进展，但它们正在接近其工作极限，这主要是因为它们的带隙和临界电场相对较低，导致较高的传导率和开关损耗以及较差的高温性能。

 

　　他强调说，碳化硅（SiC）所具有的良好材料特性，这将促使制备出小尺寸和简单冷却装置的高效功率器件。在综合代工厂因素和成本降低策略影响下，阐明了2022年10亿美元的SiC器件市场路径。报告介绍了目前大多数基于SiC的电力电子系统中的SiC MOSFET的设计考虑因素。总结了常见的SiC边缘终止技术，该技术使得SiC器件能够达到其全高压电位，以及该技术对器件性能的影响。