2018年10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳市龙华区政府联合主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
本届论坛将以“创芯聚智 共享生态”主题，其中，IFWS 2018围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括固态紫外器件技术、碳化硅材料与电力电子器件技术、氮化镓材料与电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
10月25日上午，IFWS 2018之“氮化镓材料与器件技术”分会召开。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
日本名城大学副教授Motoaki IWAYA，香港科技大学教授陈敬，电子科技大学教授，集成电路研究中心主任张波，加拿大多伦多大学教授吴伟东，德国亚琛工业大学教授、AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN，北京大学高级工程师杨学林，中科院半导体所张翔等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心研究员、苏州纳维科技有限公司董事长徐科与电子科技大学教授张波共同主持了本届分会。
日本名城大学副教授Motoaki IWAYA做了题为“AlGaN激光的现状与问题”的报告，紫外激光广泛应用于生物/化学光子学，材料加工，半导体激光器等领域，AlGaN材料是实现这些器件最合适的材料之一。这些激光器具有优良的特性，比如如紧凑性等，与现有的准分子激光器等气体激光器相比效率高。这些器件具有很高的潜力，报告讨论了两种基于AlGaN的紫外激光注入的现状和问题，包括基于电流注入的AlGaN基紫外激光器和电子束激发问题。其中激光注入电流部分，器件的潜力受到效率电流的限制，这些限制很多时候是由于高AlN摩尔分数低电阻率p型AlGaN合金的制备难点带来的，业界也正在研究各种方法来解决这个问题。报告讨论了当前的现状和潜力，并分享了其研究团队的研究结果和解决方案。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
