“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于SiC晶圆的切割上，从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。
Siltectra成立于2010年，一直在发展，目前已拥有50多个专利家族的知识产权组合。与普通的锯切技术相比，这家初创公司开发出一种分解结晶材料的技术，其材料损耗最小。
该技术也可以应用于半导体材料SiC，预计在未来几年中需求迅速增长。如今，SiC产品已经用于非常高效和紧凑的太阳能逆变器中。未来，SiC将在电动汽车中发挥越来越重要的作用。
ColdSplit技术将在德累斯顿现有的Siltectra工厂和奥地利菲拉赫的英飞凌工厂实现工业化。预计将在未来五年内完成向批量生产的转移。
英飞凌提供最广泛的基于硅的功率半导体产品组合以及碳化硅和氮化镓的创新基板。它是全球唯一一家在300毫米硅薄晶圆上批量生产的公司。因此，英飞凌也很有可能将薄晶圆技术应用于SiC产品。
ColdSplit技术将有助于确保SiC产品的供应，特别是从长远来看。随着时间的推移，可能出现ColdSplit技术的进一步应用，例如晶锭分裂或用于除碳化硅之外的材料。
对于此次收购，英飞凌CEOReinhardPloss博士表示：
“此次收购有助于我们利用SiC新材料，并拓展我司优秀的产品组合。我们对薄晶圆技术的系统理解和独特的专业知识，将与Siltectra的创新能力和冷切割技术相辅相成。”
Siltectra首席技术官Jan Richter博士说：“我们很高兴成为全球功率半导体市场领导者团队的一员。事实已经证明Cold Split技术可有助于英飞凌产品效能提升，我们现在将共同努力将其转移到批量生产。”
随着时间的推移，冷切技术有望得到更广泛的应用，比如晶锭分割、或用于SiC之外的材料。
