据公告显示，国星光电于1月17日收到国家知识产权局颁发的2项发明专利证书，所涉及的技术分别是一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法以及一种LED封装器件的制造方法及LED封装器件。
其中，一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法专利号为ZL 20141 0436426.1，证书号为第3199112号；一种LED封装器件的制造方法及LED封装器件专利号为ZL 20151 0469413.9，证书号为第3201090号。两项专利期限均为20年。
国星表示，上述专利的获取不会对公司生产经营造成重大影响，但有助于进一步确立公司的自主知识产权优势，持续优化生产制造工艺及产品品质，对市场开拓及产品推广产生积极影响。
