1、本课题梳理了第三代半导体电力电子相关的标准体系、国内相关测试机构的测试能力，发布了《第三代半导体电力电子标准体系研究报告》、《第三代半导体电力电子产业测试条件和能力报告》；对第三代半导体电力电子标准体系建立与标准制定、测试平台建设等提出了建议，将有效支撑第三代半导体电力电子标准、检测服务体系的建立。
2、本课题测试并分析了SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT动静态参数，差异性对比了Si器件的动静态参数，编写了《SiC SBD&MOSFET电学特性测试分析报告》、《SiC与Si电力电子器件测试对比分析报告》、《GaN HEMT电力电子器件测试分析报告》，为测试平台建立奠定基础。
3、联盟组织执行单位制定第三代半导体电力电子器件标准，发布了CASA001-2018《SiC肖特基势垒二极管通用技术规范》，立项T/CASA005-201X《GaN HEMT电力电子器件测试方法》、T/CASA006-201X 《SiC MOSFET测试方法》，并形成标准草案。
4、本课题组织5家测试机构开展测试比对，包括中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心、中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心、中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心、中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心、北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路实验室，开展SiC SBD、SiC MOS测试比对分析，并形成测试比对报告，建立了第三代半导体电力电子器件测试评价平台。
通过课题的实施建立了5家单位（中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心、中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心、中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心、中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心、北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路实验室）的测试服务平台，并核实了每家单位的测试能力，建立了第三代半导体电力电子测试比对平台。
（1）中科院半导体所
中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心目前拥有BC3193半导体分立器件测试系统、ITC57300动态参数测试系统、ITC55100雪崩能量测试仪等检测设备，能够检测最高1200V功率器件，测量项目包括了静态、动态多项电学参数。
（2）中科院微电子所
中国科学院微电子研究所半导体功率器件全参数实验室组建于2008年，该实验室从国外引进了目前世界最先进大功率器件全套参数测试系统，建立了能完成功率半导体器件全参数测试的标准化平台。
静态参数方面，实验室所拥有的设备其检测参数包括击穿电压、阈值、导通电阻、栅极漏电、漏极漏电、跨导、脉冲电流、源漏二极管正向压降，检测范围最大为1200V电源，200A电流，测试精度可达10mV/3pA,测试电阻范围1mΩ～999.9MΩ。
动态参数方面，包括开启延迟td(on)、关段延迟td(off)、上升时间tr、下降时间tf；二极管反向恢复时间Trr、反向恢复电荷Qrr参数；测试能力1500V/300A，测试精度 2nS；可测阻性负载、感性负载开关时间参数；可测二极管反向恢复时间参数；支持各种功率器件封装形式。
（3）中科院电工所
中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心拥有近30台套专业检测设备，重点开展高频场控半导体器件，如绝缘栅双极晶体管（IGBT）、场效应晶体管（MOSFET）、功率二极管等器件的技术参数检测、可靠性检测以及失效分析检测。
（4）中电科十三所
国家半导体器件质量监督检验中心拥有先进的检测仪器和失效分析设备610台套。中心可靠性试验设备基本上以进口为主，可按照GB、GJB、SJ、IEC、MIL标准对半导体器件、集成电路、微波组件、小整机、微型计算机、印制电路板等进行测试、筛选、DPA试验、老化试验以及鉴定检验和质量一致性检验。
中心相关检测项目包括：二极管、双极型晶体管、场效应晶体管、闸流晶体管、微波组件、微波元器件、DC/DC变换器、电子元器件及设备、半导体集成电路失效分析、聚光型光伏模块和组件、发光二极管、照明工程、荧光粉、灯和灯系统、电器设备安全试验。
（5）北京工业大学
北京工业大学功率半导体器件研究室是国内最早开展“微电子器件和电路可靠性”和“功率半导体器件及电路”研究的单位之一，研究实力雄厚，拥有齐全的研究设备、丰富的研究经验和优秀的研究队伍，能够自主完成“微电子器件热阻分析”、“微电子器件热分布分析”、“微电子器件可靠性评测”、“射频功率器件设计及测试”等多方面研究工作。
具有对SiC MOS器件失效测试分析、SiC的MOSFET和SBD管的SEM剖面分析、显微版图分析、photoemission失效点分析等。
