罗彻斯特理工学院的马修(Matthew Hartensveld)和张敬(音译,Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter期刊上发表了一项研究,描述了他们将纳米线氮化镓场效电晶体(field-effect transistors简称“FETs”)和氮化铟镓LED集成在一起的方法。在这个有创意的新结构中,电晶体被放置在LED下面以实现控制和调光。
据悉,研究员通过结合电晶体和LED,创造出一个紧凑的结构,且制造过程简易。在改善Micro LED显示器发展方面,这个新设计的结构是一个性价比更高的选择。
研究表明,新结构中,一个区域可放置更多的LED,因此,像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸变小,像素密度变大,这对于发展Micro LED显示器有很大的帮助。
但是,目前垂直设计的局限性在于关闭LED需要一个负电压,对此,研究者正在努力改进中。