当前位置: 首页 » 资讯 » 产业资讯 » 第三代半导体 » 正文

CASA召开2项联盟标准起草小组讨论会

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-07-25 来源:中国半导体照明网作者:CASA浏览次数:359
 2019年7月24日,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)的 2项联盟标准T/CASA009-201X《半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》、 T/CASA010-201X《GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》的起草小组讨论会在中科院半导体所召开,北京科技大学、中科院半导体所、北京大学、中电科十三所、深圳第三代半导体研究院、中科钢研、济南力冠、中科院纳米所、河北同光等单位参加标准讨论会。
CASA标准化委员会于2017年2月正式成立,在“公开、透明、协商一致”的原则下开展团体标准化工作,围绕科技创新、标准研制与产业发展协同机制,探索以科研研发提升技术标准水平、以技术标准促进科技成果转化应用新模式,发挥联盟优势,促进创新成果转化为现实生产力,服务于产业市场发展。
已经发布的联盟标准文件可通过网站下载:
CASA标准化委员会http://www.casa-china.cn/a/casas/about/
 
CASA 标准技术文件列表 
1.T/CASA001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范
       2.T/ CASA/TR 001-2018 SiC器件在DCDC充电模块应用技术报告
       3.T/ CASA002-201X 宽禁带半导体术语定义
       4.T/CASA003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 
       5.p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
       6.T/CASA004.2-2018 4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱
       7.T/CASA005-201X GaN HEMT电力电子器件测试方法
       8.T/CASA006-201X 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管测试方法
       9.T/CASA007-201X 电动汽车用SiC MOS模块评测 
       10.T/CASA008-201X 地铁再生制动能量回收系统技术规范
       11.CASA009-201X 半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
       12.CASA010-201X GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
 
 
 
【版权声明】本网站所刊原创内容之著作权为「中国半导体照明网」网站所有,如需转载,请注明文章来源——中国半导体照明网;如未正确注明文章来源,任何人不得以任何形式重制、复制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部。
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
推荐图文
点击排行
关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 诚聘英才 | 广告服务 | 意见反馈 | 网站地图 | RSS订阅