2019第三代半导体技术应用创新展登陆深圳，全面聚焦产业链创新

发布日期：2019-09-06 来源：中国半导体照明网浏览次数：1485

2019第三代半导体技术应用创新展

China Advanced Semiconductor Technology and Application Show(CASTAS 2019)

2019年11月25-27日

深圳会展中心

展会介绍

第三代半导体技术应用创新展（China Advanced Semiconductor Technology and Application Show缩写“CASTAS”）是在相关部委指导下，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，于中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）与国际第三代半导体论坛（IFWS）同期举办的专业型精品展会，紧扣国家科技发展战略，聚焦第三代半导体产业前沿技术、市场趋势，及已取得成熟市场应用的重点方向和领域，汇集创新项目、优秀成果、最新产品与区域产业集群，涵盖材料、装备、器件与应用方向全产业链，全方位呈现我国先进半导体技术与应用的发展面貌。

展会时间：2019年11月25-27日（一年一届）
展会地点：深圳会展中心

主办单位

国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

国家半导体照明工程研发及产业联盟（CHINA SOLID STATE LIGHTING ALLIANCE）（简称“CSA”）是为半导体照明等战略性新兴产业提供全方位创新服务的新型组织。2018年是联盟成立第十五年，成员由发起时的46家发展到现在的630家，2017年联盟成员产值占国内LED产值的70%，秘书处现有6位博士、9位硕士近30人的专职工作人员，同时拥有近200人专业化的工作团队，兼职行业专家超过100人。联盟成立以来，一直秉承“合作、共赢、创新、发展”原则，主要致力于支撑政府决策、构建产业发展环境、促进创新资源整合。2013年1月，联盟荣获科技部第一批试点联盟评估第一名。

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

第三代半导体产业技术创新战略联盟（China Advanced Semiconductor Industry Innovation Alliance 简称“CASA”）是在国家科技部、工信部、北京市政府等的支持下，由第三代半导体相关科研机构、院校、优势企业等自愿发起并在民政部门正式注册成立的社团法人，是为第三代半导体及相关新兴产业提供全方位创新服务的新型组织。联盟通过在全球范围内集成和共享创新资源，构建以市场为牵引，研发、产业、资本深度融合的产业创新体系，引领第三代半导体的跨区域、跨学科、跨行业的协同发展。

展会亮点

行业发展风向标

展会同期的中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）已连续举办十五届，是亚洲最大的LED论坛，同时召开的国际第三代半导体论坛（IFWS）也是我国半导体技术与应用领域最重要的活动之一，两个重量级活动同期举办，将汇集全球该领域的重要嘉宾与企业，全面呈现行业发展的趋势与动态。

精准产业链对接

从技术研发到成果转化，从项目孵化到产业应用，在CSA与CASA平台的协同组织下，全产业链各环节的资源将在活动期间以专题、研讨、峰会、一对一面谈等形式展开交流与对接，覆盖从装备、新材料到封装模组到系统集成直至终端应用，无论是产品还是解决方案，我们帮您与潜在的合作伙伴建立连接。

高层次专业观众

政府嘉宾诠释顶层设计与发展规划，行业专家解读技术趋势与发展动态，同期近20场专业活动异彩纷呈，汇聚行业专家、研究机构、知名厂商、市政管理部门、工程公司、设计院，以及专门针对参展企业组织的意向买家团，包含消费电子企业、安防企业、车企、电力系统企业等政、产、学、研、用不同环节的精英代表，企业高管占比达40%以上。

多元化开放平台

展会以全球视野聚焦前沿技术，分享趋势与动态，加强国际交流对接。充分发掘优质项目，鼓励探索与创新，并匹配资源促进其孵化转化。展示我国地方产业集群发展，助力人才引进与项目落地，促进产业升级。此外，多元媒体矩阵也将在线上线下为参与伙伴提供全面的宣传推广服务。

展会产业背景

一代材料，一代器件，一代装备，一代应用。

第一代半导体材料

主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

第二代半导体材料

主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。

第三代半导体材料

主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。未来将被广泛应用于光电子器件、电力电子器件等领域，以其优异的半导体性能在各个现代工业领域发挥重要革新作用，应用前景和市场潜力巨大。

中国第三代半导体发展的战略与思考

相对于第一代、第二代半导体来讲，中国第三代半导体应用领域有基础有优势。比如有全球最大、最复杂、发展最快的能源互联网建设，特高压远距离输电、新能源并网、电网控制等技术；全球最高运营速度、最长运营里程、最佳效益高速轨道交通；全球增长最快和最大的新能源汽车市场；全球最大规模的4G和5G移动通信；全球产能最大、市场最大的半导体照明及超越照明等。

当前，第三代半导体创新发展时机已经成熟，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，处于窗口期；中国精密加工制造技术和配套能力的迅速进步，各地产业转型升级的需要，使产业界、投资界高度关注第三代半导体技术的发展，是产业创新发展的动力和源泉；具有中国特色的“政产学研用”协同创新模式，为第三代半导体产业的发展提供了可借鉴的经验和成功的可能性。

当然，也要清醒的意识到目前的形势，光电子材料和器件领域与国际先进水平相比处于并跑状态，在市场第三代半导体技术应用创新展需求和产业化水平方面处于领跑状态；功率半导体材料和器件、射频材料和器件与国际先进水平相比处于跟跑状态。国内目前产业化格局不尽人意，仅有少量二极管产品，三极管仅有原型器件，没有产业化生产线，技术团队缺乏。也面临着挑战，比如研发的持续投入与创新资源整合，如何建立体制机制创新的、开放的公共研发、服务及产业化中试平台；如何进一步建立应用牵引的市场化的新兴产业发展组织模式；如何规范和培育应用市场，形成中央、地方发展合力，建立完善的产业生态环境；如何有效整合国际创新与产业资源，深度参与国际竞争与合作等。

有目标更有动力，看未来，希望到2030年，我国全产业链达到国际先进水平在光电子、电力电子和微波射频等领域全面得到规模化应用，核心器件国产化率超过70%。全国要一盘棋，发挥区域优势，差异化布局，全链条设计、一体化实施；充分发挥企业在决策、投入和成果转化方面主体作用，需求牵引，以系统创新推动材料和器件创新；上游材料器件突破、中游系统领先、下游应用主导；依托联盟构建利益共同体和研发、产业、资本协同创新发展模式；全球视野，战略高度，全面深度整合国际资源。

推进我国第三代半导体相关产业和技术的加速发展，是支撑国家重大战略需求，重朔全球产业技术格局的重大选择。需要多方努力与支持，形成产业创新体系和可持续发展的生态环境，也需要全面、深入整合和利用国际国内两类资源，希望大家志存高远，建立信任，实现共赢，从利益共同体到命运共同体，共同拥抱第三代半导体新时代。

展区设置

高端装备及新材料展区

Ø 衬底、外延生长、加工装备；

Ø 芯片设计、制造、等相关装备;

Ø 芯片、器件封装、测试装备；

Ø OLED及新型显示智能制造生产线设备；

Ø 氮化镓、碳化硅、氮化铝、氧化镓、金刚石、钙钛矿第三代半导体等衬底、外延材料；

Ø 其他半导体材料；

射频、功率器件及应用展区

Ø 氮化镓射频器件及在雷达、通信等领域的应用；

Ø 碳化硅、氮化镓等半导体器件及在新能源汽车、光伏逆变、通用电源、消费类电子等领域的应用；