19日，英国硅基氮化镓（GaN-on-Si）专家Plessey宣布开发了一个创纪录的2.5μm超高分辨率Micro LED显示屏，用于可穿戴AR/VR设备。
Plessey一直致力于将Micro LED技术导入AR/VR显示应用，本次采用了其专有的单片集成硅基氮化镓技术，在2.5μm间距上实现了超精细、超高分辨率（2000×2000）的显示屏，具备高亮度和高对比度等优点，且在室外环境下观看舒适。相比传统 LCOS 或 DLP 显示屏，此款Micro LED显示屏仅消耗20%的能量。
来源：Plessey
据了解，硅基氮化镓技术具备很多优点。如：硅衬底的低热阻性提高了热提取效率，从而降低结温，增强可靠性。该技术可提供卓越的能效、高分辨率及无可超越的对比度。因其与大规模硅集成电路工艺相似，硅基氮化镓技术可以扩展到逐渐增大的晶圆，改善成本、提高一致性和良率。
事实上，Plessey已通过单片集成Micro LED技术获得了其它技术突破。
今年3月，该公司宣布采用原本发出蓝光的硅基氮化镓开发出天然绿色LED。天然绿色LED是由GaN-on-Si外延生长工艺形成，与天然蓝色LED类似，主要区别在于LED的量子阱结构中的铟含量。
5月，Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首个单片集成硅基氮化镓Micro LED显示屏，由间距8μm的单色全高清（19201080）电流驱动像素阵列组成。
编译：LEDinside Janice
