氮化镓被称为第三代半导体材料，也是目前最有发展前景的半导体材料之一，因其优良的物理化学特性，能实现器件的高频、高效等特性，大幅度降低系统能耗，能广泛应用于5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、数据中心等新兴领域；氮化镓具有的优异特性和广泛的应用前景使其成为新一代半导体产业发展的焦点。
英诺赛科科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，集合了众多国内外精英联合创办的宽禁带半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业,致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件。英诺赛科成功建成全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，主要产品为30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件。产品的各项性能指标均达到国际先进水平， 得到各大客户的认可，能广泛应用于多个新兴领域， 如5G 通信、人工智能、新能源汽车、数据中心等等。
英诺赛科从成立至今的三年多的时间里， 凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术，在产品开发上取得非常亮眼的成绩，快速成长为国内第三代半导体研发与生产的先锋企业。
英诺赛科的商业模式是集研发、设计、制造以及测试一体化的IDM全产业链模式，建有自有可靠性和失效分析平台，具有产品快速迭代的能力，确保产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。目前发布了多款产品，并且已经开始在快充、激光雷达、无线充电、LED 照明领域得到应用。
届时，骆薇薇董事长将在27日下午闭幕大会上做《硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战》大会报告。英诺赛科研发中心副总裁周春华将在“”分享《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告。敬请关注！
