2019年11月25日下午，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，应用潜力巨大。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。美国国家工程院院士、加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh K. MISHRA曾商业化功率转换的硅基氮化镓晶体管，此次大会上，他带来了题为“氮化镓功率电子的价值前景”的主题报告，展望氮化镓功率电子的未来前景。
用于功率转换的氮化镓（GaN）产品已经商业化将近10年，同时延伸至包括垂直和侧面等结构的多种器件。目前硅（Si）基GaN外延仍然是首选技术，尽管蓝宝石基GaN外延技术已经被开发出来。为了实现器件的常关操作，两种基本方法已经开始使用：一种是采用p型栅极；另一种采用Si MOSFET与常开型GaN MOSFET两种器件进行级联。以上两种方法都已经商业化，其中第二种器件级联的方法，现在Transphorm已经实现了超高可靠性兼具低FIT数据。除此之外，GaN衬底垂直器件技术已经实现高击穿电压、高电流密度同时有效缩小了器件体积。目前最新的进展，集成了电源的产品已经面向市场发布。
报告针对多种市场上的产品进行综述，同时介绍了GaN功率电子的价值前景。从GaN材料电源适配器目前市场的渗透率到高可靠性要求的工业和汽车行业等未来新兴领域，这些内容都会采用Transphorm高质量高可靠性的产品。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
