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Nitride Crystals Inc. 执行总裁Yuri MAKAROV:全球首款4英寸精加工批量AlN晶圆片

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-26 来源:中国半导体照明网浏览次数:838
 2019年11月25日下午,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
YU Makarov 

AlN为直接带隙半导体材料,具有热稳定性好、耐腐蚀、耐辐射等优良的物理和化学性能,作为衬底材料,潜力巨大,其制备方法备受关注。Nitride Crystals Inc.执行总裁Yuri MAKAROV带来了关于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圆片”的主题报告,分享了最新进展。

Yuri Makarov博士1980年获得圣彼得堡技术大学物理与力学硕士,1983年取得圣彼得堡技术大学流体力学与等离子物理博士。2002起他任职氮化物晶体集团公司执行总裁,不仅是维吉尼亚州里士满,还是俄罗斯圣彼得堡氮化物晶体集团执行总裁。他的科研领域集中在研究晶体的生长和外延,包括:升华法生长块状SiC晶体、升华法生长块状AlN晶体、开发和制造PVT法生长SiC和AlN晶体设备、开发设备和氢化物气相外延法外延生长技术、外延生长和氮化物异质结分析、以及应用于医学和生物学的蛋白质和DNA检测石墨烯基层传感器。

报告中,他分析了关于基于SiC籽晶生长的AlN单晶的表征数据、在NCG的AlN晶圆上制造的外延和器件等内容。
YU Makarov 1
 
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