AlN为直接带隙半导体材料,具有热稳定性好、耐腐蚀、耐辐射等优良的物理和化学性能,作为衬底材料,潜力巨大,其制备方法备受关注。Nitride Crystals Inc.执行总裁Yuri MAKAROV带来了关于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圆片”的主题报告,分享了最新进展。
Yuri Makarov博士1980年获得圣彼得堡技术大学物理与力学硕士,1983年取得圣彼得堡技术大学流体力学与等离子物理博士。2002起他任职氮化物晶体集团公司执行总裁,不仅是维吉尼亚州里士满,还是俄罗斯圣彼得堡氮化物晶体集团执行总裁。他的科研领域集中在研究晶体的生长和外延,包括:升华法生长块状SiC晶体、升华法生长块状AlN晶体、开发和制造PVT法生长SiC和AlN晶体设备、开发设备和氢化物气相外延法外延生长技术、外延生长和氮化物异质结分析、以及应用于医学和生物学的蛋白质和DNA检测石墨烯基层传感器。
报告中,他分析了关于基于SiC籽晶生长的AlN单晶的表征数据、在NCG的AlN晶圆上制造的外延和器件等内容。