中国科学院院士、南昌大学副校长江风益：从硅基氮化镓LED进展看半导体照明未来

 2019年11月25日下午，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。 
硅基氮化镓LED技术具有众多优势，比如可大幅降低制造成本，提高散热表现等，与LED的未来发展密切相关，该技术也是业界一直关注的方向。中国科学院院士、南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心教授江风益带来了“从硅基氮化镓LED进展看半导体照明未来”的主题报告，分享了硅基氮化镓LED的最新进展以及半导体照明更广阔的可能性。

在我国国内，南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心教授江风益在硅基氮化镓LED方向取得了开拓性、系统性、创造性成就，带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓蓝光、绿光和黄光LED材料与芯片，并实现了产业化，获国家技术发明奖一等奖和全球半导体照明年度新闻奖。

报告中，江风益分享了当前硅基氮化镓LED基础性工作、硅基氮化镓LED突破性进展，以及半导体照明的发展。涉及网格衬底技术、位错利用、薄膜转移技术、黄光鸿沟、自主研制装备、V形坑技术、三维V形pn结、发光光谱与内量子效率，无荧光粉、无蓝光、低色温LED氛围灯，紫外与红黄光LED等多个热点话题。当前，实现了硅基氮化镓LED从装备到材料、芯片、应用完整技术链和产品链。发展了一系列新技术，包括自主研制专用MOCVD、新型准备层、三维V形pn结等，解决了高铟组分铟镓氮材料生长难题。铟镓氮长波段LED取得了突破性进展：获得了高光效黄光LED，达到实用化水平，已应用于无荧光粉纯LED照明；0.05 A/cm²电流密度下，615nm铟镓氮红光LED光效达到14.7%，有望应用于μLED显示。展望半导体照明，LED技术仍是一片蓝海，固态照明有更高的品质需求，不同技术之间融合可催生更多的应用方向，LED技术本身仍存在大量单元技术有待攻克。

                                                                                                                                                                                                                                                           （内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）