2019年11月26日上午，“可靠性与热管理技术” 分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司协办。新加坡南洋理工大学副教授DU Hejun，华中科技大学能源与动力工程学院院长、中欧清洁与可再生能源学院中方院长罗小兵，北京工业大学教授郭伟玲，德国达姆施塔特工业大学研究助理Ferdinand KEIL，中国科学院半导体研究所马占红，香港科技大学赵惠珊，半导体照明联合创新国家重点实验室(常州基地)研发工程师陈威等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。
随着固体照明技术的发展，可见光通信（VLC）近年来受到了广泛的关注。中国科学院半导体研究所马占红做了题为“适用于可见光通信高带宽微发光二极管的可靠性分析”的报告，分享了制备带宽高达1GHz的氮化镓基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流电应力下的可靠性。
与传统的射频无线通信相比，VLC具有保密性高，无电磁干扰和无频谱限制等优点。它也被认为是未来无线通信的潜在接入选择。近年来，微发光二极管（Micro-LED）已经可以被用于传输速率为几Gbps的通信应用，这主要是因为微型led的尺寸小，电流分布广，电流密度容量大。通过增加注入电流密度，微LED的调制带宽可以显著地提高到数百兆甚至千兆赫兹。然而，随着电流密度的增加，微型微LED的结温也会增加。在高电流密度下，微型微LED将同时受到大电流和高温加速应力的影响，导致其性能迅速下降，寿命缩短，制约了VLC的进一步发展。然而到目前为止，微微LED在VLC应用中的可靠性分析还很有限，高带宽微微LED在VLC应用中的退化行为和失效机理还不清楚。
研究制备了带宽高达1GHz的氮化镓基微微LED，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流电应力下的可靠性。在测试过程中，分别用积分球、吉时利 2400源表和安捷伦 E5061B矢量网络分析仪测量了器件的电致发光（EL）、电流电压（I-V）特性和小信号频率响应。光功率和I-V曲线的衰减行为主要归因于激活区内或周围点缺陷的产生，而点缺陷又是陷阱辅助隧穿（TAT）和非辐射复合的主要原因。在这个过程中产生的相关缺陷不仅降低了注入量子阱区域的载流子密度，而且提高了辐射复合和俄歇复合的载流子寿命。这些结果将有助于提高在高电流密度下工作的高带宽微型微LED的可靠性。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
