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中南大学教授汪炼成:设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-27 来源:中国半导体照明网浏览次数:389
     11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。

11月26日下午,“半导体照明芯片、封装及模组技术”分会如期召开。本届分会由木林森股份有限公司、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、欧司朗光电半导体(中国)有限公司、有研稀土新材料股份有限公司协办。

美国智能照明工程技术研究中心主任、美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK,欧司朗光电半导体(中国)有限公司销售负责人邵嘉平,易美芯光(北京)科技有限公司执行副总裁兼首席技术官刘国旭,厦门大学教授陈朝,有研稀土新材料股份有限副总经理、教授级高级工程师刘荣辉,中南大学教授汪炼成,复旦大学副研究员刘盼等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。易美芯光(北京)科技有限公司执行副总裁兼CTO刘国旭、北京工业大学教授郭伟玲共同主持了本次分会。

汪炼成

随着半导体照明的发展,尤其是室内照明的推进,人们对其效率和显色指数(Color rendering index, CRI)等品质参数等提出了更高的要求。中南大学教授汪炼成做了题为“设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究”的主题报告。

汪炼成科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统,在GaN LED 方面有近10年科研经历,近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇,引用次数744次,申请专利38项,已授权13项,成功制备性能国内领先、国际一流垂直结构LED,开拓了石墨烯透明电极在LED中应用。自2017年回国在中南大学建设了第三代半导体平台和团队,致力于次世代GaN LED、高温高功率IGBT模块封装和可靠性方面研究。

利用GaN基蓝光LED芯片激发黄色荧光粉YAG:Ce制备白光LED是目前最主要的技术路线,其仍存在的主要问题有:一是流明效率仍较低,且随电流增大而降低严重,即流明效率droop现象;二是显色指数较低,在大电流密度工作条件下退化,难于同时获得高流明效率、高CRI值、光谱可调的白光LED。通常而言,CRI值和流明效率呈反向变动趋势,提高CRI会使在此CRI值下的理论极限流明效率降低。

报道采用复合金属纳米颗粒(metal NPs)、宽谱荧光粉和窄谱量子点作为白光LED的复合荧光材料,同时提高白光LED的流明效率和显色指数:一是设计制造复合metal NP产生的金属局域表面等离激元(Localized surface plasmon resonance,LSPR),同时提高斯托克斯转换效率,和荧光效率;二是宽谱荧光粉和窄谱量子点结合,实现具有高显色指数、光谱可有效调控的全光谱白光。

 

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

 

 
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