11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。会上，日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV，郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚共同主持了本次分会。
俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV做了题为“碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟”的主题报告。Andrei SMIRNOV博士是俄罗斯STR Group Inc.的资深研发工程师兼产品线经理。他是大块晶体生长模型、新型晶体生长系统的计算机模型开发、计算机模型的实验验证、以及建模和优化各种晶体生长技术的项目合作管理方面的专家。
报告中，Andrei SMIRNOV博士分享了通过VR 物理蒸汽传输（PVT）模拟软件的应用案例展现最新的物理蒸汽传输（PVT）制备碳化硅晶体建模。该模拟同样适用于碳化硅和氮化镓的生长分析，他同时展示了最新的VR CVD 碳化硅模拟软件。同时，讨论了生长的条件、生长速率和掺杂均匀度。
并分析4H碳化硅SBD器件的结构，重点集中在衬底厚度、温度、生长速率、晶格失配等问题。讲解了氮化镓MOCVD生长中的一些重要问题的解决方法，比如掺杂的不均匀度、晶圆尺寸变化、反应物的利用等。特别关注GaN/AlGaN层的本证掺杂和碳掺杂的生长条件的影响。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
