11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。会上，日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV，郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚共同主持了本次分会。
美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭做了题为“基于MOVPE技术生长GaN表面的原位相干X射线研究”的主题报告，分享了最新研究成果。鞠光旭师从天野浩教授（2014诺贝尔物理学奖获得者）和名古屋同步辐射中心长竹田美和教授，从2009年开始，她一直从事X射线实时/原位监测氮化物半导体外延生长的研究和应用。目前，以助理研究教授的身份就职于亚利桑那州立大学电气、计算机与能源工程学院，主要研究半导体材料中的缺陷对器件性能的影响。
鞠光旭表示，原位X射线散射对于研究晶体和外延生长是一个非常有效的工具。随着相干X射线技术的到来，其使用了X射线亮度持续增长的优点，其研究团队已经开发出一种下一代的原位同步加速器X射线研究用仪器，这项研究主要是采用相干X射线束研究晶体生长中的高精度和稳定性要求。这个仪器可以实现先进的X射线技术，包含X射线光子相关光谱、相干衍射成像、微衍射等，为了能够实现在外延生长中给原子状态打开一个新窗口。
研究结果显示，在m平面生长观察到的结果与Kinetic Monte Carlo在c和m平面的模拟进行对比，然后在氮化镓生长的c平面上讨论全新的结构和特性。研究者通过原位X射线散射的方法发现了生长速率和条件与表面阶梯的形状有关。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
