碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
氮化镓材料凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，稳稳地占领了理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。
会上，邀请到了美国Transphorm Inc.高级副总裁YifengWU先生分享了《击穿电压超过650V同时结温超过150°C的氮化镓功率器件》技术报告。Transphorm致力于让功率电子设备突破硅极限。公司设计、制造并销售用于高压电源转换应用的具备最高效能、最高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm是首家发布出厂器件现场故障数据的高电压GaN FET供应商。该数据用于计算以百万分率(ppm)和故障率(FIT)表示的现场故障率，以显示这项技术的可靠性。现场数据的可用性是功率系统中高电压GaN重要的新指标，因为它表明技术的成熟性。
事实上，市场显示的轨迹呈正增长趋势。市场研究和战略咨询公司Yole Développement (Yole)报告称，到2023年，功率GaN市场规模将快速扩大，达到4.08亿美元，复合年增长率(CAGR)为91%.1有望推动增长的高电压应用包括快速充电器、数据中心及其他高端电源。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
