碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了日本福井大学教授Masaaki KUZUHARA先生分享了《基于半绝缘氮化镓衬底生长的高击穿电压氮化镓HEMT器件》研究报告。Masaaki Kuzuhara分别于1979、1981和1991年从日本京都大学获得电气工程学学士、硕士及博士学位。1981年他曾参与关于III-V heterojunction FETs的科研工作。1998至2003年，他致力于开发用于电源应用的氮化镓基异质结FETs。2004年，他成为福井大学工程研究院教授。他目前的研究领域包括用于高压和高频应用的IIInitride异质结构器件。2002年获得新技术发展基金会颁发的一村奖，以奖励他在用于手机的3V GaAs HEMT的技术发展上的卓越贡献。2006年他获得福井县科学奖，以表彰他在发展高压GaN HEMT结构上的贡献。他还是IEEE会士及日本应用物理学会会士。
GaN具有高电子饱和速度、高临界电场等优异的材料性能，已成为制备超低损耗功率器件最有前途的材料。报告中，介绍了基于独立式氮化镓衬底制备出一系列氮化镓 HEMT器件。实验结果显示高电阻氮化镓衬底是实现高电压氮化镓HEMT和高临界电场的关键。针对氮化镓衬底中铲子铁离子确保高电阻的特性，实验结果表明随着铁的掺杂浓度从2*1018提升到6*1018cm-3，HEMT的击穿电场从1.0提升到1.2MV/cm。
利用二维电子气的高电子迁移率和高击穿临界场，研制了一种GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）。然而，在GaN基HEMTs中观察到的过早击穿特性仍然阻碍了理想的高压操作。据报道，在GaN基HEMT结构中测得的有效击穿场一般小于1 MV /cm，远低于3.3 MV /cm的预期临界场。最近，一种独立的GaN衬底已经商业化。使用独立的GaN衬底作为衬底外延生长的优点无疑是其低位错密度，这对于抑制高电场下的缺陷相关漏电流是很重要的。在这项工作中，我们在一个独立的半绝缘氮化镓基板上制备了一系列氮化镓基 HEMT。结果表明，保证GaN基片的高电阻率对于获得具有最新高临界电场的高压GaN-HEMTs具有特别重要的意义。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
