碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工程系教授，其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺，他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。
报告中，介绍了基于senseFET的门驱动器集成电路，片上死区时间发电机确保高速和低速门信号匹配，反向传导检测块检测脉冲宽度，片上时分c将脉冲宽度解码成二进制码，片上闭环控制加速死区校正。今后的研究方向，将实施滤波器以消除振铃，校正速度的外部反馈控制，实现峰值电流检测，开发闭环主动驱动策略。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
