碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕业于武汉大学物理系，获学士学位。1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位。2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
报告首先对常关型AlGaN/GaN HFET的发展将进行总结。具有p GaN帽层结构的常关型AlGaN/GaN HJFET进行介绍，在这其中的本征无掺杂GaN将被作为在p GaN帽层和AlGaN阻挡层之间的隔离层，其作用是减轻Mg的扩散。p-GaN帽层的E型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HJFETs），20nm的阻挡层能有效地阻挡Mg向AlGaN/GaN异质结的扩散，获得了 1200 cm2V-1s-1的沟道迁移率，提出了具有金属绝缘体半导体（MIS）结构的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HJFET）电介质。采用ICP辅助低温工艺制备了自对准栅（SAG）结构，获得了1.6 V的阈值电压，显示出了正极性位移。由于SiN介电常数，正向BiARs中的栅极电流被动态地抑制了1500 cm2/Vs的最大场效应迁移率。基于这种结构还提出了带有金属绝缘半导体结构的AlGaN/GaN HJFET。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
