碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上邀请到了比利时IMEC的高级业务发展经理Denis MARCON分享了《200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术：一个对于衬底供应商、制造商和代工工厂的全新机遇》研究报告。Denis Marcon于2006年取得意大利帕多瓦大学的硕士学位。随后，他于2011年获得鲁汶天主教大学和IMEC的工程学博士学位，论文名为“基于功率氮化镓的晶体管的可靠性研究”。目前，他是比利时IMEC的高级业务开发经理，直接负责IMEC在GaN功率电子领域以及基于Si的器件和传感器的专门开发项目上的合作。
报告中总结现有IMEC的8英寸硅基氮化镓E型器件制造技术并介绍我们是如何解决所遇到的挑战。同时，IMEC的氮化镓IC技术也将会被提到，并会介绍哪些应用可以借助此技术来实现。 IMEC首次展示了在标准（非专用）Si生产工厂中生产高性能200mm/8英寸GaN-on-Si晶体管的可能性。这为利用现有的200mm/8英寸硅生产线生产GaN基分立器件开辟了可能性。如今，IMEC已经在在性能和可靠性方面不断改进，可用于100、200和650V功率交换应用。除此之外，IMEC还使下一代GaN技术具有更高的集成度和更宽的电压范围。
特别是致力于实现全GaN功率集成（IC）电路，其中所有组件（如半桥、驱动器、比较器、死区控制等）集成到单个GaN芯片中。这项技术改变了GaN的游戏规则，可与几年前Si技术的情况相媲美，并使今天的现代电子技术成为可能。利用imec的GaN集成电路技术，设计者最终可以充分发挥GaN技术的潜力，在芯片上实现前所未有的复杂紧凑的电力系统。演讲中，介绍了imec的8英寸/200mm GaN on-Si电子模式器件技术的现状，以及如何应对和解决关键挑战。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
