碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告。周博士现在是英诺赛科研发中心副总裁，主要研究范围包括氮化镓器件研发和可靠性工程。他从电子科技大学取得学士和硕士学位，并从香港科技大学取得了博士学位。
报告中，介绍了200mm E模40-650V GaN-on-Si功率HEMTs，具有最先进的电气性能、低寄生和易用的封装、成功的JEDEC认证、无dRdson和高功率系统效率。他认为，200mm GaN-on-Si功率技术是为电力电子行业准备的大规模采用。
首先介绍了100V和650V GaN-HEMTs的电学特性，即100V和650V器件的Vth分别为~1.5V和~2.5V，具有真正的E模工作特性和超低漏电流。然后，展示了200毫米晶圆的GaN-HEMTs电图，显示出良好的均匀性和再现性。然后介绍了40V/100V和650V器件的WLCSP和DFN封装类型。首次报道了在200mmsi衬底上成功实现40V/100V GaN晶体管的JEDEC鉴定。对于100V和650V设备，还演示了几乎动态的无Rdson操作。最后得到了40V GaN-HEMTs的35W DC-DC buck变换器和650V GaN-HEMTs的45W AC-DC变换器的峰值效率分别为96.58%和94.15%。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
