碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了加拿大GaNPower International Inc. 副总裁兼联合创始人傅玥分享了《氮化镓：启动未来》研究报告。傅玥，电子工程博士，美国电工与电子工程师学会（IEEE）高级会员，中国电源学会元器件专家委员会委员，获得美国中佛罗里达大学电子工程博士学位。2015年傅玥联合其他几位在加拿大相关领域卓有建树的专家在温哥华成立加拿大GaNPower International Inc.，并使其成为全球最早推出商用增强型氮化镓功率器件产品的公司之一。2018年GaNPower International Inc.在苏州工业园区成立苏州量微半导体有限公司，傅玥出任该公司总经理。
报告聚焦氮化镓的实际应用技术。首先从目前基础的氮化镓器件的结构、制备、参数测试开始介绍。第二部分主要介绍氮化镓栅极驱动，其中涉及氮化镓IC封装技术。第三部分介绍功率电子系统中的氮化镓应用，比如氮化镓USB PD快充适配器。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
