碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅱ”论坛于26日下午成功召开。该分会由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会加拿大多伦多大学吴伟东教授主持。
会上，邀请到了美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH先生分享了《下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术》研究报告。Ismail Kashkoush博士于1993年获得美国克拉克森大学（纽约州波兹坦）的工程科学博士学位。他现在负责管理美国NAURA-Akrion, Inc.公司的工程，技术和产品线团队。Kashkoush博士于1988年加入半导体行业，此后在技术，工艺工程和产品开发领域担任过各种研发职位。
通常高温气相清洁（超过1050°C）是一种去除外延生长之前衬底表面的氧化物以及其他污染物的传统方法。但是最新的低温外延生长技术对于外延前的温度要求也相应比较低。然而低温时的SiO2等物质的溶解率较低。为了解决这个问题，一种氟化氢（HF）的处理流程将被采用，该处理流程将会使衬底表面的缺陷变得很少，同时可以让反应温度降低到1050°C以下。本研究将分析多种外延之前的处理过程，并将不同的HF处理流程进行对比。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
