碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅰ”论坛于26日上午成功召开。会议由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会由分会主席浙江大学特聘教授、电气工程学院院长盛况和中山大学教授刘扬共同主持。
会上，美国弗吉尼亚理工大学助理教授Christina DIMARINO分享了《高电压宽禁带功率半导体封装技术》研究报告。2012年她作为研究生加入弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心(CPES)。2014年她取得电力电子系统中心的硕士学位，主要研究项目为碳化硅晶体管的高温特性。2018年她取得中心的博士学位，研究项目为10 kV碳化硅功率MOSFET封装。
她表示，宽禁带功率半导体可以使高电压的开关更高速，并已经应用在一部分领域中，其中包括中压驱动、中压直流海军平台、大规模风力和太阳能平台、先进分配系统、断路器和转换器。但是高电压、高速的开关特点也是主要挑战。高电压会导致电场强度的上升，同时高速开关会导致很强的电磁感应。现在的功率模块封装无法应对这些挑战并会限制其性能的发挥。新的技术和材料需要创造一种可以释放高压宽禁带器件的封装。报告主要讨论高压宽禁带功率半导体封装，并提出针对10kV碳化硅MOSFET的改进封装技术。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
