碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会，“功率电子器件及封装技术Ⅰ”论坛于26日上午成功召开。会议由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会由分会主席浙江大学特聘教授、电气工程学院院长盛况和中山大学教授刘扬共同主持。
会上，邀请到加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明分享了《宽禁带器件的设计和TCAD模拟》研究报告。早年经华人诺奖得主李政道博士创立的中美联合培养物理类研究生计划（CUSPEA）前往北美留学。曾在加拿大国家研究署工作，其间从事半导体激光器的模拟仿真开发，并使其成为全球第一个商用激光器仿真软件。1995年创立加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司， 现已成为全球光电器件及化合物半导体仿真领域知名度最高的商业软件公司。李博士是著名光电器件国际学术会议—NUSOD的创始人，也作为技术核心领头人创办了GaNPower International 等半导体芯片公司。
报告中介绍了，由于异质结、界面固定电荷、超低本征载流子密度和量子化态密度的存在，gaas和GaN等宽禁带半导体的设计和TCAD模拟与硅半导体有很大的不同。本文概述了几种常用的基于宽带隙的器件在设计和仿真中面临的挑战和实际方法。对于GaN基LED和微型LED，俄歇复合结合非局域热载流子泄漏和量子隧穿决定器件性能，必须在TCAD软件中进行精确处理，当正向肖特基二极管泄漏或介质击穿成为主要的击穿机制时，通常不存在雪崩击穿。TCAD仿真网格的构建必须保证在高电压下的精确场分布是一致的。针对射频应用方面，栅极的高频寄生效应需要在AC分析中考虑到。【内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解】
