以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
11月26日上午，“超宽禁带半导体技术” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新，中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵，西安电子科技大学教授张金风，瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授刘玉怀，西安交通大学副教授李强，北京大学刘放等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。
会上，日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为“超宽禁带氧化半导体的生长和特性”的主题报告，报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整(InGa)2O3或(AlGa)2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的特性。
深紫外线检测技术具有重要的应用，例如紫外线成像，紫外线/红外线双重引导，预警系统，紫外线通讯，紫外线干扰等。中国科学技术大学赵晓龙做了题为“ Ga2O3半导体器件-深紫外光电探测器”的主题报告，介绍了Ga2O3材料和DUV光电探测器、各种用于光检测的半导体、适用于UVPD的宽带隙Ga2O3半导体等现状，大规模Ga2O3衬底的方法以及Ga2O3外延层生长的各种方法。
深紫外线检测技术具有重要的应用，例如紫外线成像，紫外线/红外线双重引导，预警系统，紫外线通讯，紫外线干扰等。中国科学技术大学赵晓龙做了题为“ Ga2O3半导体器件-深紫外光电探测器”的主题报告，介绍了Ga2O3材料和DUV光电探测器、各种用于光检测的半导体、适用于UVPD的宽带隙Ga2O3半导体等现状，大规模Ga2O3衬底的方法以及Ga2O3外延层生长的各种方法。
西安电子科技大学教授张金风做了“金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展”的主题报告，结合具体的研究进展，分享了单晶金刚石的生长与表征，金刚石设备的制造和表征等研究内容。
瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS做了分享了多晶金刚石微纳米粉在碳化硅晶圆加工中的应用及其关键工艺技术。介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。
郑州大学教授, 日本名古屋大学客座教授刘玉怀带来了题为“氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究”的主题报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。
西安交通大学副教授李强做了题为“六方氮化硼薄膜的磁控溅射制备及光电特性”的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。
北京大学刘放带来了题为“高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用”的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
