11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
11月26日上午，“超宽禁带半导体技术” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新，西安电子科技大学教授张金风，瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授刘玉怀，西安交通大学副教授李强，北京大学刘放、中国科学技术大学赵晓龙等来自中外嘉宾联袂带来精彩报告。
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新，西安电子科技大学教授张金风，瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授刘玉怀，西安交通大学副教授李强，北京大学刘放、中国科学技术大学赵晓龙等来自中外嘉宾联袂带来精彩报告。
西安交通大学副教授李强做了题为“射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用”的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。
报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
