半导体发光器件是显示技术与照明技术的共同基础。近年来，随着各种半导体发光材料和器件的不断发展，新型显示技术与照明技术的结合更加紧密，为未来显示与照明技术的交叉和多元化应用奠定了基础。其中，Micro-LED近年来发展尤为迅速。从系统应用看，新型显示与照明技术还涉及到新型基板、电路驱动与控制、面板制造工艺、激光技术等，对新型显示与照明技术的发展起着重要的作用。
11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
11月26日上午，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。
法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER，北京大学教授陈志忠，德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA，美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE，北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮，和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH Tobias STEINEL等来自中外的精英代表齐聚一堂，围绕着Micro-LED与新型显示技术，分享前沿研究成果。
法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER带来了题为“对于制造CMOS电源、高性能MicroLED显示的新概念”的主题报告，讨论了一种由LETI发明的新方法去解决主动阵列显示的问题。提出了一种新的方法，其可以使RGB MicroLED的部件都整合在CMOS驱动电路中并制备在一个简单的衬底上。这个方法将有效提升显示驱动，并可以为高质量 MicroLED显示技术提供一个新的方向。
北京大学教授陈志忠做了题为“针对每平方厘米kW级别的高功率microLED三维热量传输研究“的主题报告，红外热成像结果表明，温度均匀分布在GaN衬底上。热瞬态测量表明，GaN衬底上的mLED的台面，外延层和GaN /衬底界面的热阻显着降低。这意味着高质量的GaN晶体和均匀的界面对应于声子的很少散射。结合了GaN基板的小型mLED可以成为高亮度显示和可见光通信的理想选择。
德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA分享了 采用精准应力控制技术实现用于microLED显示的 '1 bin' 等级高波长均匀度（0.566 nm标准偏差）的8英寸硅基氮化镓LED的研究成果。
美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE分享了面向MicroLED显示的III-V族LED与超薄硅晶体管集成技术，介绍了Lumiode的最新技术，其可以用半导体的集成技术在一个晶圆中整合MicroLED和硅基薄膜晶体管。
北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮带来了题为“北方华创Mini-LED和Micro-LED产品解决方案”的主题报告，结合具体案例，分享了在Mini-LED和Micro-LED方面的进展。
和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和做了题为“驱动技术推动Micro LED 显示及照明应用“的主题报告，分享了Micro-LED在AR智能眼镜、智能矩阵大灯等领域的应用状况以及相关技术进展。
南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌做了题为“纳米模板生长和制备非/半极性面LED及Micro-LED器件”的主题报告，分享了Micro-LED在AR智能眼镜、智能矩阵大灯等领域的应用状况以及相关技术进展。介绍了MOCVD生长的半极性InGaN / GaN MQW，半极性微型LED的制造等最新研究成果。
德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH 的Tobias STEINEL做了题为“用于μ-LED和OLED显示器和晶圆的亚像素评估的成像光测量设备”的主题报告，分享了µ-LED / OLED显示测试在生产中的挑战，µ-LED晶圆测试在生产中的挑战等内容。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
