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法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER:对于制造CMOS电源、高性能MicroLED显示的新概念

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-27 来源:中国半导体照明网浏览次数:361
     11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。

11月26日上午,“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。 

法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER,北京大学教授陈志忠,德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA,美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE,北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮,和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和,南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌,德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH  Tobias STEINEL等来自中外的精英代表齐聚一堂,围绕着Micro-LED与新型显示技术,分享前沿研究成果。

1.Francois TEMPLIER

会上,法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER带来了题为“对于制造CMOS电源、高性能MicroLED显示的新概念”的主题报告。François Templier从 1999年起开始在CEA-LETI位于法国格勒诺布尔的Minatec校园工作,在那里他的研究工作集中于高级显示器,尤其是发光微型显示器,柔性显示器和薄膜晶体管。

报告讨论了一种由LETI发明的新方法去解决主动阵列显示的问题。提出了一种新的方法,其可以使RGB MicroLED的部件都整合在CMOS驱动电路中并制备在一个简单的衬底上。这个方法将有效提升显示驱动,并可以为高质量 MicroLED显示技术提供一个新的方向。

 

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

 
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