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美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE:面向MicroLED显示的III-V族LED与超薄硅晶体管集成技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-27 来源:中国半导体照明网浏览次数:429
    11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。 

11月26日上午,“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。 

法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER,北京大学教授陈志忠,德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA,美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE,北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮,和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和,南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌,德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。   

4.Vincent LEE              

在过去的几年中,Micro-LED显示器一直处于下一代显示技术的最前沿。Micro-LED类别集中于传质或基于集成的技术。范围从3“-70”的直视式显示器使用传质方法将单个Micro-LED晶粒转移到辅助基板上。可以通过将微型LED与CMOS集成电路进行芯片级键合,将LED外延层转移到CMOS或将微型LED与薄膜晶体管(TFT)集成,来构建<2“的微型LED微型显示器。

会上,美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE做了题为《面向Micro LED显示的III-V族LED与超薄硅晶体管集成技术》的报告。报告介绍了该公司技术团队在将Micro LEDs与Si TFTs进行集成方面的技术进展,其技术特点是在高亮度(如全白状态下)Micro LED显示能够实现较低温度,从而提升显示产品的可靠性。

 

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

 
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