11月26日上午，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。
法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER，北京大学教授陈志忠，德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA，美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE，北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮，和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。
会上，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌做了题为“纳米模板生长和制备非/半极性面LED及Micro-LED器件”的主题报告，介绍了MOCVD生长的半极性InGaN / GaN MQW，半极性微型LED的制造等最新研究成果。报告显示，已经通过MOCVD通过纳米图案模板生长了半极性MQW，晶体质量大大提高。半极性MQW在长波长发射，快速载流子重组方面显示出了它们的优势。量子点（QD）由于具有良好的光学特性，具有特征的尺寸，因此可用于微显示应用。为RGB和白色发射器制造了填充有QD的微孔LED。已经实现了半极性微型LED器件。与c平面微型LED相比，其电子和光学性能是合理的。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
