11月26日上午，“超宽禁带半导体技术” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新，西安电子科技大学教授张金风，瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授刘玉怀，西安交通大学副教授李强，北京大学刘放、中国科学技术大学赵晓龙等来自中外嘉宾联袂带来精彩报告。
深紫外线检测技术具有重要的应用，例如紫外线成像，紫外线/红外线双重引导，预警系统，紫外线通讯，紫外线干扰等。中国科学技术大学赵晓龙做了题为“ Ga2O3半导体器件-深紫外光电探测器”的主题报告，介绍了Ga2O3材料和DUV光电探测器、各种用于光检测的半导体、适用于UVPD的宽带隙Ga2O3半导体等现状，大规模Ga2O3衬底的方法以及Ga2O3外延层生长的各种方法。
不过，Ga2O3光电探测器也存在挑战，比如PD阵列中的串扰、持久光电导（PPC），材料方面，由于O空位缺陷，P型Ga2O3难以实现，低导热性和流动性；结构上，Ga2O3 PN结尚未实现；功能上单光子检测仍然具有挑战性。
报告同时指出，Ga2O3具有超宽的带隙，低成本，高的热稳定性和化学稳定性，因此被认为是最有前途的紫外线检测材料之一。Ga2O3紫外线光电探测器在高电场，高辐照度和高温等极端环境中具有巨大潜力；Ga2O3紫外光电探测器的研究仍处于起步阶段，从材料（缺陷），器件结构和加工方法等方面存在一系列关键的科学技术问题。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
