11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。本届分会涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同（异）质外延薄膜、测试表征和相关的设备，对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。
日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV，郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。
会上，郑州大学Mussaab I. NIASS做了题为“蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响”的主题报告，分享了最新研究成果。研究设计了由BxGa1-xN组成的边缘发射激光二极管EELD，并假设其在蓝宝石衬底上生长。将硼组合物调整到不同的值，以在UV−C波段深处发射，并且由于在许多尚未商业化的应用中非常重要，因此将其计算为270 nm。阻止实现这种二极管类型的制造的最大问题之一是差的P型导电性。研究根据假设对结果进行分析，发现不规则的位移可能是由于N / P电极下方区域的尺寸/体积的变化而导致Mg和Si掺杂浓度的变化。研究同时还分析了N和P电极区域的V-I和L-I曲线。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
