11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR?CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
氮化镓HEMT在性能和体积上在W波段到D波段的高频应用方面具有很大的潜质。而为了未来的性能增强，外延结构和可靠性还需要更多的提升。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BRÜCKNER 做了题为“高频氮化镓HEMT器件和MMIC”的精彩报告，Peter BRÜCKNER 2011年加入德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所，关注short gate-length GaN HEMT on SiC技术发展。负责蚀刻技术组，并领导着若干IAF项目。
报告中，他表示，FRAUNHOFER 研究院致力于研究氮化镓HEMT的短栅极技术和MMIC加工工艺。重点研究的任务是外延结构、漏电流控制、缺陷状态以及小型本征器件的定义等。因此，一种小尺寸的可靠栅极加工工艺将被用于评估外延结构和其他的加工零部件。除此之外，还有一些加工的概念需要在可靠性方面进行评估。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
