11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR?CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
会上，南京电子器件研究所高级工程师张凯分享了一种新型毫米波氮化镓高线性晶体管，张凯专注于探索创造新颖的、先进的GaN器件，包括高线性GaN器件、太赫兹GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前为止，典型成果包括国际第一个具有优异功率性能的GaN FinFET器件，国内截止频率最高的SiC衬底上GaN器件、国际整体性能最优的Si基GaN高频器件（以上结论依据源于已发表文章、会议等），成果曾经两次被Semiconductor Today杂志专题报道。
报告中，创新提出一种增强式缓变沟道的GaN HEMTs器件，器件展现了相当优异的开态以及关态特性，同时显著减缓跨导的下降，（0.15µm器件截止频率fT/fmax达~85/250 GHz），出色的综合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的应用潜力。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
