11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。
对于大多数固态照明技术，尤其是对于深紫外发光二极管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意义。台湾交通大学特聘教授郭浩中做了题为“新型深紫外LED封装发光技术提升”的报告，
郭浩中教授在III-V光学设备/材料（砷化镓，磷化铟，氮化镓）有超过20年的研究经验。他是2015年美国电子电气工程师协会(IEEE)会士，2012年美国光学学会(OSA)会士，2013年国际光学工程学会(SPIE)院士，2012年英国工程技术学会(IET)会士。
报告分析了不同封装结构对LEE的影响，并提出了一种新型的带有硅油和半球透镜的DUV-LED液体封装结构。通过这种设计，与常规封装结构相比，DUV-LED输出光的强度可以提高70.7%。此外，采用该液体封装结构的DUV-LED热阻可以降低30.3%。经过可靠性测试后，DUV-LED的200小时输出光强度仍可保持98%以上。另外，对比倒装结构和垂直结构的DUV-LED芯片在该液态封装结构下的光学性能。然后，根据光学仿真结果，对这两种芯片的腔体进行了优化设计。最终，采用新型封装结构的薄膜型倒装结构DUV-LED的外量子效率在300 mA时可达到10%。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
