11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。
会上，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF介绍了采用n-AlxGa1-xN低波导层连续分级生长的深紫外纳米线激光二极管光学约束优化的研究成果。研究针对深紫外纳米线激光器提出了一种连续渐变的AlxGa1-xN低波导层结构。其新型结构的Al的占比从75%降低到66%，性能对比的就是75%的Al成分AlxGa1-xN激光器。结果显示n型低波导层的分级抑制了光场的泄露并增加了电子的迁移，由于偏振电场的产生，所有的场都集中在整个活动区域附近，其导致了非常强的光约束性。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
