11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。
宽带隙半导体由于其大的带隙能量，高的电子饱和速度，优异的辐射硬度和耐高温性，最近在紫外线（UV）光电探测器应用中引起了广泛的关注。这样的光电探测器具有各种潜在的应用，包括火焰探测，环境监测，化学/生物制剂探测和太阳物理学。
会上，南京大学教授陆海做了题为“基于宽禁带半导体以及相关应用的UV检测仪器发展现状”的在主题报告，回顾一些基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。各种紫外线光电探测器的优点将根据其各自的首选应用进行了讨论。
报告指出，基于GaN和AlGaN的常规光电探测器已准备就绪，可用于商业应用。同时，由于材料质量的显着提高，SiC单光子计数UV APD表现出了卓越的性能，可用于许多尖端应用。紫外线检测器的潜在市场已显示出明显的增长趋势。但是，可靠性和资格研究应该赶上一些严格的应用需求。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
