11月25-27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。
挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。
上海大学教授，Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮带来了题为“大批量工艺制备的高质量氮化铝模板材料表征分析”的主题报告，作为一种典型的宽带直接带隙（6.2 eV）半导体材料，AlN是高Al含量的高温，高频，高功率电子和深紫外（UV）光电器件（例如发光器件）的极佳候选者 二极管（LED），激光器，射频设备，传感器和高密度光学数据存储。在过去的几十年中，人们为通过各种工艺（例如氢化物气相外延（HVPE），金属有机化学气相沉积（MOCVD），分子束外延（MBE）和物理气相传输（PVT））生长AlN做出了巨大努力。 然而，对于大规模工业应用而言，以低成本和可扩展性发展高质量的AlN仍然是一个非常具有挑战性的问题。
报告中介绍了使用Ultratrend Technologies Inc.（UTI）开发的一系列专有技术制造高质量2英寸/ 4英寸AlN模板的工业解决方案。这些专有技术最近已在UTI用于生产2英寸/ 4英寸高质量AlN模板，到2020年的产能为30万个。所选择的AlN厚度为200 nm的AlN模板具有高分辨率的特点 X射线衍射（HRXRD）。 对称和不对称的HRXRD摇摆曲线分别显示FWHM为78.4-84.5 arcsec和270.3-341.6 arcsec。 通过原子力显微镜（AFM）确定模板的均方根（RMS）粗糙度为0.12nm-0.39nm。所有选择的模板在FWHM上显示出很高的均匀性，并在整个表面上具有粗糙度，并且在指定的工艺条件下具有出色的再现性。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
