11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。分会关注氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR?CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
西安电子科技大学教授刘志宏做了题为“高频硅基氮化镓晶体管”的主题报告，深度生长的GaN-on-Si HEMT，高线性度GaN-on-Si HEMT，CMOS兼容制造技术，200毫米GaN-on-Si HEMT晶片和GaN-Si集成，并介绍了西安电子科技大学的GaN-on-Si研究进展。刘志宏教授表示，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）具有输出功率密度高、效率高的优点，是4G LTE和5G移动通信基站的核心射频元器件之一，近年来在学术界和产业界获得了广泛的关注并且已经应用于4G LTE通信的基站中。
目前大部分氮化镓射频器件产品是以碳化硅为衬底，碳化硅基氮化镓的晶体管具有较低的热阻和较高的性能。另一方面，5G通信系统由于高速度、大容量、低时延的特性需求，需要建设大量的基站和使用大量的射频收发器，对射频元件的成本要求比较高。碳化硅基氮化镓由于碳化硅衬底的限制，成本比较高，而硅基氮化镓具有低成本、高性价比的优点，非常适合大规模应用于未来的5G通信系统。但是，同碳化硅基氮化镓的射频器件相比，目前硅基氮化镓的射频器件的性能还相差较大。
刘志宏教授首先介绍了我国国内外硅基氮化镓射频器件的发展现状，分享了新加坡-麻省理工学院科研技术联盟中心（SMART）和西安电子科技大学近年来在硅基氮化镓高频器件领域的研发进展。他表示，我们在SMART开发了高度缩微的硅基InAlN/GaN晶体管，具有40 nm栅长、300 nm源漏间距，其截止频率创造世界最高记录310 GHz。针对氮化镓毫米波器件线性度差的问题，提出了类鳍形纳米线沟道、平面纳米带沟道、绝缘栅平面纳米带沟道等新型结构，提高了毫米波硅基氮化镓晶体管的线性度性能。
他表示，团队开发了与硅CMOS兼容的8英寸硅基氮化镓晶圆的制造工艺，并开发了氮化镓-硅CMOS单片异质集成技术体系。在西安电子科技大学也进行了射频硅基氮化镓材料和器件的开发，在面向5G移动通信中sub-6 GHz的频段，西电开发的硅基GaN 单片微波集成电路（MMIC）达到了35 W的饱和输出功率、55%的功率附加效率和15 dB的增益。总之，硅基氮化镓晶体管表现出了非常大的潜力，有望在未来5G、后5G和6G通信系统中得到大规模应用。
目前大部分氮化镓射频器件产品是以碳化硅为衬底，碳化硅基氮化镓的晶体管具有较低的热阻和较高的性能。另一方面，5G通信系统由于高速度、大容量、低时延的特性需求，需要建设大量的基站和使用大量的射频收发器，对射频元件的成本要求比较高。碳化硅基氮化镓由于碳化硅衬底的限制，成本比较高，而硅基氮化镓具有低成本、高性价比的优点，非常适合大规模应用于未来的5G通信系统。但是，同碳化硅基氮化镓的射频器件相比，目前硅基氮化镓的射频器件的性能还相差较大。
刘志宏教授首先介绍了我国国内外硅基氮化镓射频器件的发展现状，分享了新加坡-麻省理工学院科研技术联盟中心（SMART）和西安电子科技大学近年来在硅基氮化镓高频器件领域的研发进展。他表示，我们在SMART开发了高度缩微的硅基InAlN/GaN晶体管，具有40 nm栅长、300 nm源漏间距，其截止频率创造世界最高记录310 GHz。针对氮化镓毫米波器件线性度差的问题，提出了类鳍形纳米线沟道、平面纳米带沟道、绝缘栅平面纳米带沟道等新型结构，提高了毫米波硅基氮化镓晶体管的线性度性能。
他表示，团队开发了与硅CMOS兼容的8英寸硅基氮化镓晶圆的制造工艺，并开发了氮化镓-硅CMOS单片异质集成技术体系。在西安电子科技大学也进行了射频硅基氮化镓材料和器件的开发，在面向5G移动通信中sub-6 GHz的频段，西电开发的硅基GaN 单片微波集成电路（MMIC）达到了35 W的饱和输出功率、55%的功率附加效率和15 dB的增益。总之，硅基氮化镓晶体管表现出了非常大的潜力，有望在未来5G、后5G和6G通信系统中得到大规模应用。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
