11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。分会关注氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR?CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
北京国联万众科技有限公司副总经理董毅敏做了题为“5G用毫米波Doherty功率放大器的研制”的主题报告，结合具体实验及结果，介绍了通过利用SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT技术设计和制造了26GHz GaN微波单片集成电路功率放大器。所提出的放大器在8dB的退避功率下具有很高的效率，可以应用于新一代宽带无线移动通信系统（5G）。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
